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    性花都 1200V、12英寸晶圆,2家GaN厂商推出新品

    发布日期:2024-10-23 06:26    点击次数:133

    性花都 1200V、12英寸晶圆,2家GaN厂商推出新品

     性花都氮化镓(GaN)器件因其高恶果、高功率密度、高开关频率和优秀的导热能力,正在被越来越多的汽车厂商和半导体厂商看好。近日,国内2家GaN厂商别离推出了新品,GaN上车程度再刷新。 宇腾科技推出1200V GaN功率器件据陕西宇腾电子科技有限公司(以下简称“宇腾科技”)官微音问,公司日前自主研发分娩的蓝相持基氮化镓功率器件(GaN-on-Sapphire HEMT),责任电压(Vds)可达1200V,已参预量产阶段并通过可靠性测试。

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    source:宇腾科技

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    宇腾科技先容,公司旗下蓝相持基氮化镓功率器件责任电压可达到1200V,当今已量产四种型号,规格别离为:150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A、50mΩ/30A。此外,公司的1200V蓝相持基氮化镓系列居品中,25mΩ/60A规格居品正在建立测试中,瞻望2024年Q4终局量产。 府上知道,宇腾电子尽力于于第三代半导体GaN外延片、光通信厚氧化层外延硅片筹谋分娩。公司领有齐全的GaN外延片分娩线,是我国当今西部地区惟逐一家GaN外延片分娩企业。云镓半导体推出寰宇首款12英寸650V/12 mR晶圆近日,云镓半导体推出了一款居品——650V/12mR 超大电流芯片,并暗意这是公共首款12英寸的GaN晶圆。

     

    12-inch 与 6-inch 氮化镓晶圆对比图(source:云镓半导体)云镓半导体指出,该芯片终局了12mR超低导通电阻,测试良率>90%。该居品具备2P1M结构,焊盘名义要素为CuNiAu,最小尺寸为1000um,相沿Al线焊合。非焊盘区域增多了一层PI防备,保险了高压异名端间的耐压间距。 据悉,云镓半导体是一家专科从事GaN功率器件及惩处决议的筹谋公司,现存上海、杭州、深圳三个研发及处事机构。当今,公司已推出多款GaN功率器件及IC类居品,欺诈场景可遮掩中小功率与大功率电源限制。 云镓半导体暗意,已往公司凑合GaN在电动汽车的主驱欺诈加大盘考,基于12inch+12mR的基础技巧,慢慢惩处短路耐量问题(筹谋: 12us),并拓宽GaN的额定电压以适配 800V 高端车型(筹谋: 1200V)。